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英诺赛科为手持移动设备提供GaN HEMT
材料来源：化合物半导体
具有低 RDS(on) 的 40V 双向 GaN HEMT 针对智能移动设备、充电器和适配器
中国GaN公司英诺赛科日前宣布推出INN40W08，这是一款适用于笔记本电脑和手机等移动设备的40V双向GaN-on-Si增强模式HEMT。INN40W08 HEMT是使用该公司的InnoGaN技术开发的。
英诺赛科欧洲总经理兼美国和欧洲市场经理 Denis Marcon 评论道：“在过去的几年中，手机充电器制造商已采用 GaN 技术来提供更大的功率并缩小设备尺寸。然而，英诺赛科的重大突破使其有可能将GaN HEMT引入手机，从而提高效率和性能。凭借英诺赛科巨大的可用产能，我们提供了当今客户期望的安全供应链。”
新型INN40W08 GaN HEMT具有双向阻断能力，其导通电阻为7.8mΩ。这是通过专利的应变增强层技术实现的，该技术可将薄层电阻降低 66%。栅极电荷 (QG) 通常为 12.7nC。5x5 网格晶圆级芯片规格封装 (WLCSP) 尺寸为 2x2 mm。
小尺寸使 INN40W08 GaN HEMT 能够集成到手机内部。应用包括高端负载开关、智能手机 USB 端口中的过压�；ひ约鞍ǔ涞缙骱褪逝淦髟谀诘亩喔龅缭�。在过压�；は低持�，该技术可以用一个 InnoGaN（或 BiGaN）晶体管代替两个硅MOSFET。
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