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东芝推出新型 SiC MOSFET 组件
材料来源：化合物半导体
1200V 和 1700V 组件可实现更小、更高效的工业设备
东芝推出了两款全新碳化硅（SiC） MOSFET 双模块。 MG600Q2YMS3的额定电压为1200V，额定漏极电流为600A； MG400V2YMS3 的额定电压为 1700V，额定漏极电流为 400A。
作为东芝首批具有这些额定电压的产品，它们与之前发布的 MG800FXF2YMS3 共同组成了1200V、1700V 和 3300V 器件产品线。
新�？樵诎沧胺绞缴霞嫒莨惴菏褂玫墓� IGBT �？�。它们的低能量损失特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求，例如用于铁路车辆的转换器和逆变器，以及可再生能源发电系统。
应用包括用于铁路车辆的逆变器和转换器、可再生能源发电系统、电机控制设备和高频 DC-DC 转换器。
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