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SemiQ 发布 1200V 80mΩ SiC MOSFET
材料来源：化合物半导体
新型 MOSFET 补充了该公司现有的 650V、1200V 和 1700V SiC 整流器
SemiQ 宣布推出其第二代 SiC 功率开关，即 1200V 80mΩ SiC MOSFET，扩大其 SiC 功率器件产品组合。该 MOSFET 补充了公司现有的 650V、1200V 和 1700V SiC 整流器。
SemiQ 设计了这款 MOSFET，以提供传导和开关损耗的最佳平衡，从而使其应用范围尽可能广泛。
如附图所示，与流行的竞争产品相比，该 SemiQ 器件在整个频率范围内保持其效率优势。
与市场上的其他器件相比，这为设计人员在更广泛的应用范围内提供了更大的灵活性。
SiC MOSFET 为包括电动汽车、电源和数据中心在内的高性能应用带来了高效率，并且经过专门设计和测试，可在极端环境中可靠运行。与传统的硅 IGBT 相比，SemiQ 的 MOSFET 开关速度更快，损耗更低，通过减小尺寸、重量和冷却要求实现系统级效益。
SIMQ总裁兼总经理Michael Robinson说：“感谢那些不知疲倦的员工、同事、支持者和供应商，他们致力于制造和鉴定我们最初的Gen2 SiC功率MOSFET，该MOSFET展示了高质量、优化的性能和强健的可靠性，这将是即将推出的SemiQ MOSFET产品组合的特征。”
SemiQ 的新型 1200V 80mΩ SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，很快将采用 TO-247-4L 封装和一系列�？楣┗酢�
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