意法半导体推出 45W 和 150W MasterGaN 器件
材料来源：化合物半导体
增加了额外的灵活性，可以为电源选择最佳的GaN器件和驱动器解决方案
为了便于向高效宽带隙技术的过渡，意法半导体发布了分别适用于高达 45W 和 150W 的应用的 MasterGaN3 和 MasterGaN5 集成功率封装。
加入面向 65W 至 400W 应用的 MasterGaN1、MasterGaN2 和 MasterGaN4，这些新增产品为设计开关电源、充电器、适配器、高压功率因数校正时选择最佳 GaN 器件和驱动器解决方案提供了额外的灵活性(PFC) 和 DC/DC 转换器。
ST 的 MasterGaN 概念简化了从普通硅 MOSFET 到 GaN 宽带隙电源技术的迁移。这些器件将两个 650V 功率晶体管与优化的高压栅极驱动器以及相关的安全和保护电路集成在一起，从而消除了栅极驱动器和电路布局设计挑战。结合 GaN 晶体管可能实现的更高开关频率，这些集成器件使电源比基于硅的设计小 80%，并且极其坚固可靠。
MasterGaN3 器件的 GaN 功率晶体管具有 225mΩ 和 450mΩ 的非对称导通电阻 (Rds(on))，使这些器件适用于软开关和有源整流转换器。在 MasterGaN5 中，两个晶体管都具有 450mΩ Rds(on)，可用于 LLC 谐振和有源钳位反激等拓扑。
与其他 MasterGaN 系列成员一样，这两款器件的输入都与 3.3V 至 15V 的逻辑信号兼容，从而简化了主机 DSP、FPGA 或微控制器与霍尔传感器等外部设备的连接。它们还集成了�；ぃǖ筒嗪透卟嗲费顾� (UVLO)、栅极驱动器互锁、过热�；ず凸囟弦�。
每个 MasterGaN 器件都有一个专用原型板支持，以帮助设计人员快速启动新的电源项目。 EVALMASTERGAN3 和 EVALMASTERGAN5 板包含生成单端或互补驱动信号的电路。有一个可调的死区时间发生器，以及供用户应用单独输入信号或 PWM 信号的连接，添加一个外部自举二极管来帮助容性负载，并插入一个低侧分流电阻器用于峰值电流-模式拓扑。
MasterGaN3 和 MasterGaN5 采用 9mm x 9mm GQFN 封装，针对高压应用进行了优化，高压和低压焊盘之间的爬电距离为 2mm，现已量产，MasterGaN3 的价格为 6.08 美元，MasterGaN5 的价格为 5.77 美元，订单为1000 件。
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