UnitedSiC 推出 FET 喷射计算器 V2
材料来源：化合物半导体
在线电源设计工具的增强使识别最佳 SiC FET 设计解决方案变得更容易
UnitedSiC 是一家 SiC 功率半导体制造商，已对其 FET 喷射计算器进行了升级。这个新版本 (v2) 显著简化了 SiC FET 和肖特基二极管的选择过程，并简化了所有与功率相关的结果的分析。
这款简单、免注册的在线工具于 3 月份首次推出，便于设计人员在不同的电源应用和 26 种独特的拓扑结构中进行选择和性能比较过程。凭借更多可用的拓扑结构，FET 喷射计算器现在支持更广泛的功率应用，使任何希望首次使用 SiC 的人或寻求最适合其设计的最佳 SiC 器件的有经验的设计师都可以使用 UnitedSiC FET。
允许工程师在 AC/DC、DC/DC 和 DC/DCiso 电源设计中识别最佳 UnitedSiC 器件，此升级添加了显示损耗和效率数据的即时条形图结果�；瓜允玖俗罴颜ぜ骱突撼迤鹘ㄒ�。最后，一旦定义了首选的 SiC 解决方案，所有输入/输出设计信息都可以以 pdf 格式轻松下载。
与计算器的第一个版本一样，用户选择他们的应用功能和拓扑，输入他们的设计参数详细信息，该工具会自动计算开关电流、效率和损耗，按传导、导通和断开贡献分类。所有 UnitedSiC FET 和肖特基二极管都可以从可分类表中选择，包括最新的第 4 代 750V 器件。如果选择不合适，该工具还会发出警告，让工程师能够快速找到理想的设计解决方案。
UnitedSiC 工程副总裁 Anup Bhalla 评论道：“FET 喷射计算器的目的一直是尽可能轻松地在正确的电源拓扑中选择正确的器件。通过这些更新，我们将继续消除切换到 SiC 的障碍。一个直观的用户界面，简单而即时地显示最重要的性能数据，通过快速排除不合适的器件来加快研发速度。”
UnitedSiC FET 喷射计算器可免费使用，无需注册，可在 United SiC 网站上找到。
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