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GaN Systems推出新型GaN功率级别
材料来源：化合物半导体杂志
650V半桥子卡（30A和60A）率先提供具有可调阈值和可编程源电流的可编程过流�；�
GaN Systems发布了两款650V半桥子卡（30A和60A），为评估GaN驱动器和晶体管提供了一个多功能平台。该评估卡提供两种功率级，最高3kW（GS-EVB-HB-66508B-RN）和最高6kW（GS-EVB-HB-66516T-RN），并包括Renesas RAA226110低侧GaN FET驱动电路。
这些卡被认为是业界首款提供具有可调阈值和可编程源电流的可编程过流�；�，以实现可调开关回转率的产品。
“GaN晶体管已将自己确立为电力电子技术的基本组成部分。Renesas推出具有同类最佳功能和性能的低侧GaN FET驱动电路，证实了GaN晶体管已成为电源设计工程师的首选工具。” GaN战略营销副总裁Paul Wiener表示。
“Renesas致力于开发支持GaN晶体管的创新电源产品。”Renesas工业和通信业务部副总裁Philip Chesley说，“我们的新型RAA226110低侧GaN FET驱动电路就是一个例子，它提供了客户在高性能驱动电路中想要的所有功能。”
这些功率级设计可广泛应用于企业1U电源(最高5kW)、高功率密度无桥图腾柱PFC、光伏逆变器、储能系统、电机驱动器以及汽车DC/DC转换器和板载充电器。
该评估卡与GaN Systems的主板一起使用，可轻松设置和即插即用。该评估卡还具有在2MHz fSW下集成VGS的功能和一些独一无二的功能，如可编程过电流�；ぃ兄滴�40mV/80mV/120mV，差分电流感应，以及可编程源电流，可调节开关回转率（0.3A、0.75A或2A）。
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