SemiSouth以新型SiC JFET器件进入高端音频市场
SemiSouth以新型SiC JFET器件进入高端音频市场
SemiSouth透露其最新碳化硅JFET器件较传统器件成本低15%，且线性特征和保真性能优良，非常适合于高端音频放大器的需求。
SemiSouth Laboratories推出一系列新型低成本SiC JFET器件，具有非常好的线性特征，产品定位于高端音频应用。
据称SJEP120R100A和SJEP120R063A两款器件具有同类产品中最佳的保真性能，且能与标准的闸极驱动IC兼容，正的温度系数可方便并联使用；在工作温度最高达1500 C时，开关速度非常快且没有尾电流效应，两款产品的RDS(on)max分别低达0.100Ω和0.063Ω。器件封装结构是TO-247，而100mΩ的产品是方便进行模组集成的芯片形式。
Nelson Pass是Nelson Pass音频放大器公司的创始人，他介绍说，“在过去的40年间，我注意到音频电路中低功率JFET器件的性能有很大改善，而对“无法获取”的功率型JFET器件，尽管我相信潜力巨大却比较鲜见。该款来自SemiSouth公司的新型SiC功率JFET，在高可靠性线性功率音频器件中有很大的潜力可以发挥，对推挽式拓扑回路保真特性有50-70%的提高，而在单端回路中提高将近10倍。最近，我们采用SJEP120R100A开发出一款小型高端
音频放大器并赚了一把，同时还在使用SJDP120R085耗尽模器件开发其他高端放大器产品。”
SemiSouth的销售主管Dieter Liesabeths说，“凭其优良的线性和高保真特征，这些器件非常适合高端音频放大器的设计应用，而且价格较传统功率型SiC JFET低了15%，从而满足了顾客的需求。”
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