CISSOID推出用于电动汽车的三相碳化硅MOSFET智能功率�？�
比利时·蒙-圣吉贝尔，2020年3月5日 – 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。这项新的智能功率�？榧际跆峁┝艘恢忠惶寤饩龇桨福凑狭四谥谜ぜ鞯娜嗨涫教蓟鐼OSFET�？椤�
这个全新的可扩展平台同时优化了功率开关的电气、机械和散热设计及其临界控制，对于电动汽车（EV）整车厂和愿意快速采用基于碳化硅的逆变器以实现更高效、更简洁电机驱动的电动机制造商而言，该平台可以帮助他们加快产品上市时间。
该可扩展平台中的第一款产品是一个三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率�？�，它具有低导通损耗特性，导通电阻为3.25毫欧（mOhm），同时具有低开关损耗特性，在600V/300A时导通和关断能量分别为8.3mJ和11.2mJ。相比最先进的IGBT功率�？�，其将损耗降低了至少三倍。新模块通过一个轻质的铝碳化硅（AlSiC）针翅底板进行水冷，结到流体的热阻为0.15°C / W。该智能功率�？榭沙惺芨叽�3600V的隔离电压（经过50Hz、1分钟的耐压测试）。
内置的栅极驱动器包括3个板载隔离电源（每相1个），可提供每相高达5W的功率，从而可以在高达125°C的环境温度下轻松驱动频率高达25KHz的功率�？椤８叽�10A的峰值栅极电流和对高dV/dt（> 50KV/µs）的抗扰性可实现功率�？榈目焖倏睾偷涂厮鸷��；咕弑盖费顾ǎ║VLO）、有源米勒钳位（AMC）、去饱和检测和软关断（SSD）等�；すδ�，以确保一旦发生故障时可以安全地驱动功率模块并提供可靠的�；�。
“开发和优化快速开关碳化硅功率模块并可靠地驱动它们仍是一个挑战，”CISSOID首席执行官Dave Hutton表示。“这款新型碳化硅智能功率�？槭窃诠β誓？楹驼ぜ鞣矫娼卸嗄昕⒌某晒�，这源于我们和汽车与交通运输领域领导者们的密切合作。我们很乐意向早期的碳化硅器件采用者提供首批智能功率�？檠�，从而去支持汽车行业向高效的电动汽车解决方案过渡。”
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