聚焦新产品，Soitec创新研发进行时
作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司致力于以创新研发满足客户提高产品性能、降低能耗以及综合成本的需求。Soitec重视开发突破性的制造工艺并改善现有工艺，将收入着重用于研发，持续助力行业技术创新。
目前，Soitec在全球拥有超过3500项现行专利，研发人员占比12.5%，研发投资达到年收入12%。
几十年来，遵循摩尔定律，器件小型化与降低成本一直是半导体行业的前进方向。然而，新的光刻解决方案及10nm节点以下设备的研发投入骤增，在当下，更先进节点已不再具备理想的成本效益，而半导体材料功能的多样化，包括异质集成材料如硅、III-V族化合物材料或压电材料等，成为提高性价比的替代解决方案之一。
Soitec的研究工作包括SiC和InGaNOS等复合材料的新开发，从而带来高附加值以满足市场需求。
SiC
随着电动汽车的发展，SiC功率器件市场持续增长。碳化硅的总体有效市�。═AM）预计将达每年数百万个晶圆片（200-mm晶圆片）。 SiC拥有广泛的应用领域，例如电动汽车的车载充电装置，以及在电力电子设备中实现功率转换和控制等。然而，SiC的大规模应用一直受到供应量、良率及成本等因素的限制。
为解决上述难题，早在2005年Soitec就开展了碳化硅衬底的研发。通过Smart Cut™工艺，Soitec可以将纯净碳化硅晶体切割为薄层，并将其转移到（受体）衬底上，从而提高良率、降低成本、扩大材料供应，并帮助提升终端设备性能。
在2019年11月，Soitec宣布与应用材料公司启动联合项目，展开对新一代碳化硅衬底的研发。Soitec将应用其专利技术Smart Cut™，目前该技术广泛应用于SOI产品生产，保障芯片制造商材料供应。而应用材料公司将在制程技术与生产设备方面提供支持。在此次研发项目中，两家公司将在CEA-Leti的衬底创新中心中增添一条碳化硅优化衬底实验生产线。此条生产线预计于2020年上半年开始运行，目标为在2020年下半年使用Soitec的Smart Cut™技术生产碳化硅晶圆片样品。
InGaNOS
InGaNOS是一种创新型松弛InGaN优化衬底，适用于红绿蓝（RGB）μLED应用。一个像素由三个LED（红色、绿色和蓝色）组成。而到目前为止，仅绿色和蓝色LED可以构建在同一衬底上，且绿色LED在其中表现效率较低，红色LED则需要特殊的材料完成构建。
为了解决上述难题，Soitec开发了创新型衬底InGaNOS（以蓝宝石为衬底的氮化铟镓），这是一种应用于μLEDs的创新型松弛InGaN优化衬底。这种独特的松弛InGaN模式针对微米级以下的高性能红色和绿色microLED，最终实现红色，绿色和蓝色的μLED在同一晶片上的集成。
在微米尺度上，InGaNOS比磷化物具有更高的红色效率，将被广泛用于车载显示器。 据Yole 2017年预测，InGaNOS 的总体有效市场在2024财年将超400万晶圆片（150mm晶圆片）。Soitec将进一步致力于InGaNOS的研发，以实现批量生产。
以设计和交付创新型衬底与解决方案，赋能客户产品，缔造美好生活为使命，Soitec持续专注于研发，不断丰富其第三代化合物半导体产品线。通过为行业提供创新的科技与产品解决方案，Soitec立志推动全球产业共同前行。
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