UnitedSiC在650V产品系列中新增7个SiC FET
2018年5月7日，美国新泽西州普林斯顿，德国纽伦堡（Nuremberg） --- 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布，已经为UJ3C（通用型）和UF3C（硬开关型）系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。
这些新器件能够提供新级别的高压电源性能，适用于快速增长的数据中心服务器电源、5G基站电信整流器以及电动汽车车载充电器等应用。这些新器件将对设计工程师具有极大吸引力，他们仍然喜欢采用3引脚，TO220或D2PAK封装选项，但同时也在努力提高功率因数校正电路、LLC谐振转换器和相移全桥转换器的功率性能。
UnitedSiC的UJ3C和UF3C FET产品系列的独特之处在于其真正的“直接替代”功能。设计人员通过采用UnitedSiC FET替换已有的Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或硅超级结器件，即可显著提高系统性能，而无需改变栅极驱动电压。
两个系列的SiC FET均基于UnitedSiC独特的“共源共栅”电路配置，其中�？�normally-on）SiC JFET与Si MOSFET共同封装，可构建出具有标准栅极驱动特性的常关（normally-off）SiC FET器件。因此，现有系统在采用UnitedSiC“直接替代”FET升级后将具有很大性能提升，实现更低的导通和开关损耗，增强的热性能和集成栅极ESD�；�。如果是新设计，UnitedSiC FET可提供更高的开关频率，从而带来显著的系统优势，能够实现更高效率，并可减小磁性元件和电容器等无源元件的尺寸和成本。
通过UnitedSiC的烧结银（sintered-silver）封装技术，行业标准的三引脚TO220-3L封装能够提供增强的热特性。以这种封装提供的新产品包括RDS（on）值为30和80mΩ的UJ3C器件，以及RDS（on）规格为40mΩ的UF3C器件。
三引线行业标准D2PAK-3L封装则针对表面贴装而设计，并通过IPC和JEDEC的湿度灵敏度等级1（Moisture Sensitivity Level 1）认证。以该封装提供的新产品包括RDS（on）规格为30mΩ和80mΩ的UJ3C器件，以及RDS（on）规格为30mΩ和40mΩ的UF3C器件。
UnitedSiC也可提供符合AEC-Q101标准的汽车级器件。
欲了解相关的数据手册和其他资源，请访问：https://unitedsic.com/cascodes/。
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