山东天岳碳化硅功率半导体芯片项目开工，推进碳化硅产业化
2019年2月27日，作为济南114个集中开工项目之一，山东天岳碳化硅功率半导体芯片研发与产业化项目正式开工。
碳化硅功率半导体芯片及电动汽车模组研发与产业化项目是济南2019年市级重点项目之一，据悉，该项目总投资65000万元，项目总占用厂房面积为2400平方米，主要将建设碳化硅功率芯片生产线和碳化硅电动汽车驱动�？樯吒饕惶�，利用厂区原有厂房的空置区域建设。
据山东天岳官方消息，本项目以硅烷和甲烷在氢气和氩气条件下制得SiC衬底外延片后，经掩膜淀积、光刻、显影、灰化、刻蚀和检验封装等工序，生产SiC MOSFET晶体管，设计年生产规模为400万只/年；以碳化硅外延材料为原料，经晶圆标记、离子注入、厂板淀积、欧姆接触、肖特基电极、钝化层制备等工序，生产SiC功率二极管，设计年生产规模为1200万只/年；以碳化硅芯片为原料，经焊接、清洗、铝引线键合灌封硅凝胶等工序，生产碳化硅电动汽车驱动�？椋杓颇晟婺Ｎ�1万只/年。
山东天岳是山东大学晶体研究所的产业化基地，主要从事宽禁带碳化硅半导体衬底的研发与生产，广泛应用于电力输送、航空航天、新能源汽车、半导体照明、5G通讯等技术领域。
山东天岳先进材料科技有限公司成立于2010年10月，山东天岳晶体材料公司是其旗下控股公司。截至2018年底，山东天岳累计投资15亿元建成了碳化硅单晶衬底材料产业化基地。
2017年，山东天岳自主开发了全新的高纯半绝缘衬底材料，目前量产产品以4英寸为主。此外，其4H导电型碳化硅衬底材料产品主要有2英寸、3英寸、4英寸及6英寸。山东天岳还独立自主开发了6英寸N型碳化硅衬底材料，现在产品正处于工艺固化阶段。
2018年11月，山东天岳碳化硅材料项目在浏阳高新区开工，项目总投资30亿元，一期主要生产碳化硅导电衬底、二期主要生产功能器件。
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