UnitedSiC扩展SiC JFET产品组合并发布第三代1200V和650V器件
2018年10月22日，美国新泽西州普林斯顿市 --- 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出第3代1200V和650V碳化硅JFET，扩展了现有的独特�？粜�SiC JFET产品组合。
这些器件处于通常开启状态，采用零电压栅极驱动，因而特别适用于快速动作、固态断路器和电路�；さ扔τ�，这些应用中，通常在没有栅极电源的情况下需要默认为导通状态。这些器件还可与Si-MOSFET串联使用，形成强大的“超级共源共栅”，具有宽带隙技术的所有优势，能提供极高的工作电压，并易于栅极驱动。新器件还可用于电子负载、无线充电同步整流和低功率反激式转换器中的电源开关，其中采用共源共栅配置的JFET可确保易于启动。新器件所面向的市场包括铁路、电动飞行器和电动牵引中的电路保护，以及高压开关电源转换等等。
SiC JFET器件能提供极佳的RDSA品质因数（基于晶片面积归一化的导通电阻），在电路�；びτ弥芯哂械筒迦胨鸷�。由于RDSON的正温度系数和较为平坦的栅极阈值电压对温度曲线，这些部件可以很容易并联使用。在以“线性”模式工作时，SiC JFET表现出宽的安全工作区（SOA），而没有其他技术容易受到的电流拥挤效应和潺流效应(current filament)等影响，使得它们特别适用于电子负载和电流限制器。SiC JFET中不存在栅极氧化物，因而也增强了抗辐射能力和总体的牢固性等附加优势。
这些器件的制造采用了UnitedSiC专有的6英寸晶圆工艺，其中包括先进的晶圆减�。╳afer-thinning）和晶片粘接（die-attach）技术，具有出色的结至外壳热阻。
新发布的第三代器件编号为UJ3N120070K3S（1200V/70mΩ）、UJ3N120035K3S（1200V/35mΩ）、UJ3N0650080K3S（650V/80mΩ）和UJ3N065025K3S（650V/25mΩ）。所有这些可选器件均采用方便的TO-247-3L封装。
UnitedSiC工程副总裁Anup Bhalla表示：“当您需要常通、超级牢固的器件时，UnitedSiC的SiC JFET可提供无与伦比的系统价值。随着电力电子技术的不断发展，对电路�；さ男枨笠苍诓欢显龀�。动作非�？焖俚亩下菲骺梢约蚧斓狼Ｒ�、船舶和越来越多的电动飞行器等电源电路设计，而且在这些类型应用中，SiC JFET也是最简单、最高效的限流方案。”
有关UnitedSiC JFET的应用指南以及其他更多信息，请访问：https://unitedsic.com/downloads/。
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