Littelfuse 新推新平台开发的1200V碳化硅肖特基二极管
Littelfuse 新推新平台开发的首批产品1200V碳化硅肖特基二极管，具有更低的开关损耗与更高的效率
混合pn肖特基 (MPS) 结构可增强抗浪涌能力并降低泄漏电流
中国，北京，2017年5月25日讯 -Littelfuse, Inc.，作为全球电路�；ち煊虻牧煜绕笠�，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管，以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。 这种碳化硅二极管是通过Littelfuse与Monolith Semiconductor合作技术平台开发的产品系列中的首批产品。 其他基于该技术平台的碳化硅产品（包括1200V碳化硅金氧半场效晶体管）正在筹备中，预计于不远的将来推出。
GEN2碳化硅肖特基二极管的额定电压为1200V，工作电流从5 A至10 A 不等，采用TO‑220-2L或TO-252-2L封装。 相比标准的硅双极功率二极管，这种二极管让电路设计师能够大幅降低开关损耗，并显著提高电力电子系统的效率与耐用性。 它可在避免热逸散的情况下承受强浪涌电流，并且相比硅二极管能在更高的结温下工作。 它还提供同类最佳的存储电容电荷与正向压降。
GEN2系列碳化硅肖特基二极管的典型应用包括功率因数校正(PFC)、直流-直流转换器的降压/升压阶段、逆变器级（开关模式电源、太阳能、UPS、工业驱动器）的续流二极管以及高频输出整流等需要改善效率、可靠性与热管理的应用。 这种二极管对工业电源、太阳能逆变器、工业驱动器、焊接和等离子切割设备以及EV/HEV充电站的设计师和制造商而言尤其实用。
“这种新型碳化硅肖特基二极管的混合p-n肖特基 (MPS) 结构可以为电路设计师提供更强的浪涌性能以及极低的泄漏电流。”Littelfuse功率半导体产品营销经理Michael Ketterer表示， “相比传统的硅功率二极管，这种碳化硅肖特基二极管可提高转换器效率与功率密度，同时帮助降低系统层面的成本。”
Littelfuse GEN2系列碳化硅肖特基二极管 具有以下关键优势：
· 同类最佳的电容存储电荷以及 可忽略不计的 反向恢复功能 使其非常适合高频电源开关应用。 它还能确保实现可忽略不计的开关损耗，并降低对相反开关的应力。
· 同类最佳的正向压降可确保低传导损耗。
· 175°C的最高结温可提供更大的设计余量以及更为宽松的热管理要求。
供货情况
GEN2系列碳化硅肖特基二极管提供TO-220-2L（1,000只装管式包装）或TO-252-2L (DPAK)封装（2,500只装卷带包装）。 您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。 如需了解Littelfuse 授权销商名单，可访问 Littelfuse.com。
| 上一篇：MACOM将在IMS 2017上展... | 下一篇：极致晶圆保护助力先进封... |
声明：本网站部分文章转载自网络，转发仅为更大范围传播。 转载文章版权归原作者所有，如有异议，请联系我们修改或删除。联系邮箱：lynnw@actintl.com.hk
粤公网安备 44030402004706号