据报道，11月3日，SK 海力士在活动中公布内存产品发展路径图，明确研发HBM、AI-DRAM与AI-NAND等新型存储产品，以破解AI时代 “存储墙” 瓶颈，巩固存储领域领导地位。

其中，AI-DRAM 细分优化、突破、扩展三类方案，覆盖低功耗降本、超高容量破局及多场景延伸需求；AI-NAND 则从性能、带宽、密度维度发力，计划 2026 年底推出高性能样品，目标实现 PB 级存储。

据悉，为实现发展目标，SK海力士正在深化合作伙伴关系，包括与英伟达合作推进AI制造技术进步，与台积电合作开发下一代HBM基片，并与闪迪合作促进新兴的高带宽闪存（HBF）市场的国际标准化。

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