西电郝跃院士、西安交大周磊簜团队与晟光硅研杨森协同攻关丨低温超临界流体处理在退化β相氧化镓基二极管中
2025/11/3 10:49:11 材料来源：晟光硅研
西电郝跃院士、西安交大周磊簜团队与晟光硅研杨森协同攻关丨低温超临界流体处理在退化β相氧化镓基二极管中恢复与增强电学性能的应用
西安电子科技大学郝跃院士与西安交通大学周磊簜副教授的联合团队，携手晟光硅研杨森等研究人员，在《Journal of Alloys and Compounds》上发表了题为“ Low-temperature supercritical fluid treatment for electrical performance restoration and enhancement in degraded β-Ga2O3-based diodes: synergistic effects of trap passivation, interface optimization, and band structure modification”的研究论文。该研究证实，低温超临界流体处理能通过陷阱钝化、界面优化与能带结构改性的协同效应，有效恢复并增强退化β-Ga₂O₃基二极管的电学性能。
本研究得到国家重点实验室稳定支持基金（No. JBSY252800260）、宽禁带半导体器件与集成技术国家重点实验室基础研究基金（No. 2413S121）以及国家自然科学基金（No. 62204198）的支持。感谢西安交通大学微电子学院 Xuhui Wang 女士在提供测量系统方面给予的宝贵协助。
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